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BSR30TRL

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共3页
制造商YAGEO(国巨)
官网地址http://www.yageo.com/
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BSR30TRL概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BSR30TRL规格参数

参数名称属性值
厂商名称YAGEO(国巨)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)650 ns
最大开启时间(吨)500 ns
VCEsat-Max0.5 V
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