Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V016S15Y8

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IDT71V016S15Y8: 产品描述Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44; 产品类别存储存储; 文件大小474KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V016S15Y8概述

Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

IDT71V016S15Y8规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	44
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J44
JESD-609代码	e0
长度	28.575 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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3.3V CMOS Static RAM

1 Meg (64K x 16-Bit)

Features

◆

IDT71V016

Description

The IDT71V016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM

organized as 64K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance,

high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology,

combined with innovative circuit design techniques, provides a

cost-effective solution for high-speed memory needs.

The IDT71V016 has an output enable pin which operates as fast

as 7ns, with address access times as fast as 12ns. All bidirectional

inputs and outputs of the IDT71V016 are LVTTL-compatible and

operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry

is used, requiring no clocks or refresh for operation.

The IDT71V016 is packaged in a JEDEC standard 44-pin

Plastic SOJ and 44-pin TSOP Type II.

◆

64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

Commercial (0° to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)

Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 15/20ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 44-pin Plastic SOJ and 44-pin TSOP

package.

Functional Block Diagram

Output

Enable

Buffer

- A

Address

Buffers

Chip

Enable

Buffer

Write

Enable

Buffer

Byte

Enable

Buffers

N N

T CE

6S NS

R S

01 IG

A E

V S

P L

71 DE

ER W

D E

R N

Row / Column

Decoders

I/O

High

Byte

I/O

Buffer

I/O

O R

64K x 16

Memory

Array

Sense

Amps

and

Write

Drivers

I/O

Low

Byte

I/O

Buffer

I/O

BHE

BLE

3211 drw 01

AUGUST 2000

DSC-3211/08

IDT71V016S15Y8相似产品对比

	IDT71V016S15Y8	IDT71V016S20Y8	IDT71V016S20PH8	IDT71V016S20PHI8	IDT71V016S15YI8	IDT71V016S15PH8	IDT71V016S15PHI8	IDT71V016S20YI8
描述	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
零件包装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ
包装说明	SOJ,	SOJ,	TSOP2,	TSOP2,	SOJ,	TSOP2,	TSOP2,	SOJ,
针数	44	44	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	15 ns	20 ns	20 ns	20 ns	15 ns	15 ns	15 ns	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	28.575 mm	28.575 mm	18.41 mm	18.41 mm	28.575 mm	18.41 mm	18.41 mm	28.575 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44	44	44
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm	3.683 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.683 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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