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BLV13

产品描述TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BLV13概述

TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

BLV13规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压16.5 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)8.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1650 MHz

BLV13相似产品对比

BLV13 BLY93A
描述 TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 8 A 3 A
集电极-发射极最大电压 16.5 V 36 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRFM-F4 O-PRPM-F4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 8.5 dB 9 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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