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IDT7M4003S60CB

产品描述SRAM Module, 128KX8, 60ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
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文件大小201KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M4003S60CB概述

SRAM Module, 128KX8, 60ns, CMOS, CPGA66, SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66

IDT7M4003S60CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明SIDE BRAZED, CERAMIC, HIP-66
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间60 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 32K X 32
备用内存宽度16
JESD-30 代码S-CPGA-P66
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度6.223 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
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