EDI8C32512CA35JC,EDI8C32512CA35JC pdf中文资料,EDI8C32512CA35JC引脚图,EDI8C32512CA35JC电路-Datasheet-电子工程世界

EDI8C32512CA35JC: 产品描述SRAM Module, 2MX8, 35ns, CMOS, CQCC68,; 产品类别存储存储; 文件大小248KB，共6页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8C32512CA35JC概述

SRAM Module, 2MX8, 35ns, CMOS, CQCC68,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 512K X 32
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CQCC-J68
JESD-609代码	e0
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	68
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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