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HF12-125

产品描述Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin, 0.500 INCH, SOE, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共5页
制造商Spectrum Devices Corporation
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HF12-125概述

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin, 0.500 INCH, SOE, 4 PIN

HF12-125规格参数

参数名称属性值
厂商名称Spectrum Devices Corporation
包装说明0.500 INCH, SOE, 4 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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