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GM76C28-12

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24,
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文件大小384KB,共10页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM76C28-12概述

Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24,

GM76C28-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

GM76C28-12相似产品对比

GM76C28-12 GM76C28FW-12 GM76C28FW-10
描述 Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24, Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDSO24, Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDSO24,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 120 ns 120 ns 100 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
端子数量 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP
封装等效代码 DIP24,.6 SOP24,.4 SOP24,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000025 A 0.00005 A 0.000025 A
最小待机电流 2 V 4.5 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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