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MT48LC4M32B2TG-7:G

产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
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文件大小4MB,共79页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT48LC4M32B2TG-7:G概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86

MT48LC4M32B2TG-7:G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
针数86
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

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128Mb: x32 SDRAM
Features
SDR SDRAM
MT48LC4M32B2 – 1 Meg x 32 x 4 Banks
Features
• PC100-compliant
• Fully synchronous; all signals registered on positive
edge of system clock
• Internal pipelined operation; column address can
be changed every clock cycle
• Internal banks for hiding row access/precharge
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
• Auto precharge, includes concurrent auto precharge
and auto refresh modes
• Self refresh mode (not available on AT devices)
• Auto refresh
– 64ms, 4096-cycle refresh (commercial and
industrial)
– 16ms, 4096-cycle refresh (automotive)
• LVTTL-compatible inputs and outputs
• Single 3.3V ±0.3V power supply
• Supports CAS latency (CL) of 1, 2, and 3
Options
• Configuration
– 4 Meg x 32 (1 Meg x 32 x 4 banks)
• Package – OCPL
1
– 86-pin TSOP II (400 mil)
– 86-pin TSOP II (400 mil) Pb-free
– 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)
– 90-ball VFBGA (8mm x 13mm) Pb-
free
• Timing (cycle time)
– 6ns (167 MHz)
– 6ns (167 MHz)
– 7ns (143 MHz)
• Revision
• Operating temperature range
– Commercial (0°C to +70°C)
– Industrial (–40°C to +85°C)
– Automotive (–40°C to +105°C)
Notes:
1.
2.
3.
4.
Off-center parting line.
Available only on Revision L.
Available only on Revision G.
Contact Micron for availability.
Marking
4M32B2
TG
P
F5
B5
-6A
2
-6
3
-7
3
:G/:L
None
IT
AT
4
Table 1: Key Timing Parameters
CL = CAS (READ) latency
Speed Grade
-6A
-6
-7
Clock
Frequency (MHz)
167
167
143
Target
t
RCD-
t
RP-CL
3-3-3
3-3-3
3-3-3
t
RCD
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
18
18
21
18
18
20
18
18
20
PDF: 09005aef80872800
128mb_x32_sdram.pdf - Rev. V 03/16 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT48LC4M32B2TG-7:G相似产品对比

MT48LC4M32B2TG-7:G MT48LC4M32B2P-7:G MT48LC4M32B2P-6:G MT48LC4M32B2B5-6:G
描述 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, PLASTIC, VFBGA-90
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 BGA
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 VFBGA, BGA90,9X15,32
针数 86 86 86 90
Reach Compliance Code not_compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 143 MHz 143 MHz 166 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PBGA-B90
JESD-609代码 e0 e3 e3 e1
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 13 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 86 86 86 90
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 VFBGA
封装等效代码 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 BGA90,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 235 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1 mm
自我刷新 YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 8 mm
厂商名称 Micron Technology Micron Technology - Micron Technology
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