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EDI8M8512C100P6I

产品描述SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS,
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文件大小178KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8M8512C100P6I概述

SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS,

EDI8M8512C100P6I规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-XDMA-T32
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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