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1N6112AE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小436KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N6112AE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2

1N6112AE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压17.1 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2 W
最大重复峰值反向电压13.7 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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