HY514404ALR-70,HY514404ALR-70 pdf中文资料,HY514404ALR-70引脚图,HY514404ALR-70电路-Datasheet-电子工程世界

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HY514404ALR-70: 产品描述EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小247KB，共8页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY514404ALR-70概述

EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20

HY514404ALR-70规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP2-R,
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e6
长度	17.14 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2-R
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

HY514404ALR-70相似产品对比

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描述	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20	Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset in 5-Lead SOT-23	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP	TSOP	TSOP	-	TSOP	TSOP
包装说明	TSOP2-R,	TSOP2-R,	TSOP2-R,	-	TSOP2-R,	TSOP2-R,
针数	20	20	20	-	20	20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	-	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	-	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	60 ns	50 ns	-	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	-	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e6	e6	e6	-	e6	e6
长度	17.14 mm	17.14 mm	17.14 mm	-	17.14 mm	17.14 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	-	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	-	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	-	4	4
功能数量	1	1	1	-	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1
端子数量	20	20	20	-	20	20
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	-	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	-	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2-R	-	TSOP2-R	TSOP2-R
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	-	1024	1024
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	-	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	-	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	-	7.62 mm	7.62 mm

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