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HYI18T1G160C2F-3S

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
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文件大小4MB,共70页
制造商QIMONDA
标准
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HYI18T1G160C2F-3S概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

HYI18T1G160C2F-3S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.013 A
最大压摆率0.306 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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