SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] |
包装说明 | 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-T60 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 15.24 mm |
最大待机电流 | 0.03 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.96 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
EDI8F32256C20M6C | EDI8F32256C55MMC | EDI8F32256C55MZC | EDI8F32256C55M6C | EDI8F32256C30M6C | EDI8F32256C30MMC | EDI8F32256C30MZC | |
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描述 | SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, SIMM-64 | SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, | SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS, SIMM-64 | SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 20 ns | 55 ns | 55 ns | 55 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-T60 | R-XSMA-N64 | R-XZMA-T64 | R-XDMA-T60 | R-XDMA-T60 | R-XSMA-N64 | R-XZMA-T64 |
内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit | 8388608 bit | 8388608 bit | 8388608 bit | 8388608 bit | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 60 | 64 | 64 | 60 | 60 | 64 | 64 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX32 | 256KX32 | 256KX32 | 256KX32 | 256KX32 | 256KX32 | 256KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
可输出 | NO | YES | YES | NO | NO | YES | YES |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIP | SIMM | ZIP | DIP | DIP | SIMM | ZIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 | SSIM64 | ZIP64/68,.1,.1 | DIP32,.6 | DIP32,.6 | SSIM64 | ZIP64/68,.1,.1 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 13.462 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 13.462 mm |
最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.96 mA | 0.96 mA | 0.96 mA | 0.96 mA | 0.96 mA | 0.96 mA | 0.96 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | SINGLE | ZIG-ZAG | DUAL | DUAL | SINGLE | ZIG-ZAG |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] | - | - | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] | EDI [Electronic devices inc.] |
包装说明 | 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | SIMM-64 | - | 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 | SIMM-64 | - |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | - | e0 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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