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EDI8F32256C20M6C

产品描述SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60
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文件大小167KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8F32256C20M6C概述

SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60

EDI8F32256C20M6C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明0.600 INCH, MODULE, DIP-60
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T60
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度15.24 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

EDI8F32256C20M6C相似产品对比

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描述 SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, SIMM-64 SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, SRAM Module, 256KX32, 55ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS, 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS, SIMM-64 SRAM Module, 256KX32, 30ns, CMOS,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 55 ns 55 ns 55 ns 30 ns 30 ns 30 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-T60 R-XSMA-N64 R-XZMA-T64 R-XDMA-T60 R-XDMA-T60 R-XSMA-N64 R-XZMA-T64
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 64 64 60 60 64 64
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO YES YES NO NO YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP SIMM ZIP DIP DIP SIMM ZIP
封装等效代码 DIP32,.6 SSIM64 ZIP64/68,.1,.1 DIP32,.6 DIP32,.6 SSIM64 ZIP64/68,.1,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 15.24 mm 15.24 mm 13.462 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 13.462 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.96 mA 0.96 mA 0.96 mA 0.96 mA 0.96 mA 0.96 mA 0.96 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL SINGLE ZIG-ZAG DUAL DUAL SINGLE ZIG-ZAG
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
包装说明 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 SIMM-64 - 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 0.600 INCH, MODULE, DIP-60 SIMM-64 -
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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