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MT47H128M4BT-37E:A

产品描述DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-92
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共133页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H128M4BT-37E:A概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-92

MT47H128M4BT-37E:A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA92,9X21,32
针数92
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B92
JESD-609代码e1
长度19 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA92,9X21,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.005 A
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm

文档预览

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512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H128M4 – 32 Meg x 4 x 4 banks
MT47H64M8 – 16 Meg x 8 x 4 banks
MT47H32M16 – 8 Meg x 16 x 4 banks
Features
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
4 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths: 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
• Configuration
– 128 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 4 banks)
– 64 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 4 banks)
– 32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. G
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. H
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. G
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
• FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. G
• FBGA package (lead solder) – x4, x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. G
• Timing – cycle time
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
– Low-power
• Operating temperature
– Commercial (0°C
T
C
+85°C)
2
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C;
–40°C
T
A
+85°C)
• Revision
Notes:
Marking
128M4
64M8
32M16
HR
NF
CF
SH
HW
JN
-187E
-25E
-3
None
L
None
IT
:G/:H
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
2. For extended CT operating temperature see
I
DD
Table 11 (page 29), Note 7.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-187E
-25E
-3
CL = 3
400
400
400
CL = 4
533
533
533
CL = 5
800
800
667
CL = 6
800
800
n/a
CL = 7
1066
n/a
n/a
t
RC
(ns)
54
55
55
PDF: 09005aef85651470
512MbDDR2.pdf - Rev. W 04/14 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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