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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N6643UE3
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1N6643UE3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6643UE3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN

1N6643UE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.75 W
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

1N6643UE3文档预览

• 1N6638US,1N6642US, 1N6643US AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/578
• 1N6638U,1N6642U, 1N6643U AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/578
• SWITCHING DIODES
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE
• METALLURGICALLY BONDED
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA
Derating: 4.6 mA/°C Above TEC = + 110°C
Surge Current: I
FSM
= 2.5A, half sine wave, Pw = 8.3ms
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
V BR
TYPES
@ IR
=100 µA
V RWM
V F1
IFM
=10 mA
(Pulsed)
V (pk)
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
150
100
75
V (pk)
125
75
50
V dc
0.8
0.8
1.0
V dc
1.1
1.2
1.2
(Pulsed)
mA
200
100
100
V F2
@ I F2
tfr
IF
=50 mA
ns
20
20
20
trr
IR = 10 mA
IF = 10 mA
IREC = 1 mA
ns
4.5
5.0
6.0
DIM
D
F
G
S
MILLIMETERS
MIN
MAX
1.78
2.16
0.48
0.71
4.19
4.95
0.08MIN.
INCHES
MIN MAX
0.070 0.085
0.019 0.028
0.165 0.195
0.003MIN.
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
D-5D, Hermetically sealed glass
case, per MIL-PRF- 19500/578
LEAD FINISH:
Tin / Lead
I R1
TYPES
VR
= 20 V
nA dc
I R2
@V R
= V RWM
µA dc
I R3
V R = 20 V
TA = 150°C
µA dc
I R4
V R = V RWM
TA = 150°C
µA dc
C T1
VR=
0V
pF
C T2
VR=
1.5V
pF
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
50 °C/W maximum at L = 0
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
°C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
35
25
50
0.5
0.5
0.5
50
50
75
100
100
160
2.5
5.0
5.0
2.0
2.8
2.8
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) of this device is approximately
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting
Surface System should be selected to
provide a suitable match with this
device.
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (781) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
157
IN6638U&US, IN6642U&US
1000
and
IN6643U&US
100
IF - Forward Current - (mA)
10
0ºC
15
100
ºC
0.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
VF - Forward Voltage (V)
FIGURE 2
Typical Forward Current
vs Forward Voltage
1.0
1.1
1.2
1000
100
150ºC
IR - Reverse Current - (µA)
10
C
100º
1
0.1
25ºC
.01
-65ºC
-65ºC
1
25º
C
NOTE :
All temperatures shown on graphs are
junction temperatures
.001
20 40 60 80 100 120 140
Percent of Reverse Working Voltage (%)
FIGURE 3
Typical Reverse Current
vs Reverse Voltage
158
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1N6643UE3相似产品对比

1N6643UE3 1N6642UE3 1N6638UE3
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN O-LELF-R2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 0.3 A 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.75 W 0.75 W 0.75 W
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.005 µs 0.0045 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END

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