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2112-2F: 产品描述Standard SRAM, 256X4, 650ns, MOS, CDIP16; 产品类别存储存储; 文件大小174KB，共3页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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2112-2F概述

Standard SRAM, 256X4, 650ns, MOS, CDIP16

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	650 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	16
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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