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2112-2B

产品描述Standard SRAM, 256X4, 650ns, NMOS, PDIP16
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文件大小84KB,共2页
制造商Signetics
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2112-2B概述

Standard SRAM, 256X4, 650ns, NMOS, PDIP16

2112-2B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Signetics
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间650 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T16
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

2112-2B相似产品对比

2112-2B 2112B 2612B 2612F
描述 Standard SRAM, 256X4, 650ns, NMOS, PDIP16 Standard SRAM, 256X4, 1000ns, NMOS, PDIP16 Standard SRAM, 256X4, 400ns, NMOS, PDIP16 Standard SRAM, 256X4, 400ns, NMOS, CDIP16
厂商名称 Signetics Signetics Signetics Signetics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 650 ns 1000 ns 400 ns 400 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-GDIP-T16
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16
字数 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256X4 256X4 256X4 256X4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL

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