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MCM63F733ATQ8.5

产品描述IC,SYNC SRAM,128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
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文件大小345KB,共17页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MCM63F733ATQ8.5概述

IC,SYNC SRAM,128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC

MCM63F733ATQ8.5规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

MCM63F733ATQ8.5相似产品对比

MCM63F733ATQ8.5 MCM63F733ATQ8.5R MCM63F733ATQ11 MCM63F733ATQ9 MCM63F733ATQ10 MCM63F733ATQ11R MCM63F733ATQ9R MCM63F733ATQ10R
描述 IC,SYNC SRAM,128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC 128KX32 CACHE SRAM, 8.5ns, PQFP100, TQFP-100 128KX32 CACHE SRAM, 11ns, PQFP100, TQFP-100 128KX32 CACHE SRAM, 9ns, PQFP100, TQFP-100 128KX32 CACHE SRAM, 10ns, PQFP100, TQFP-100 IC,SYNC SRAM,128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC IC,SYNC SRAM,128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC 128KX32 CACHE SRAM, 10ns, PQFP100, TQFP-100
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP,
针数 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 8.5 ns 8.5 ns 11 ns 9 ns 10 ns 11 ns 9 ns 10 ns
其他特性 FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
ECCN代码 - 3A991 3A991 3A991 3A991 3A991 3A991 3A991
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