IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, BGA-48, Memory IC:Other
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LBGA, |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 组织 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10 mm |
| TH50VSF0320AAXB | TH50VSF0321AAXB | |
|---|---|---|
| 描述 | IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, BGA-48, Memory IC:Other | IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, BGA-48, Memory IC:Other |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | LBGA, | LBGA, |
| 针数 | 48 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 8 | SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 12 mm | 12 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C | -20 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA | LBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10 mm | 10 mm |
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