TMS28F800VB12BL,TMS28F800VB12BL pdf中文资料,TMS28F800VB12BL引脚图,TMS28F800VB12BL电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> TMS28F800VB12BL

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TMS28F800VB12BL: 产品描述1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PBGA48; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共52页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数

TMS28F800VB12BL概述

1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PBGA48

TMS28F800VB12BL规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	CONFG AS 512K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
类型	NOR TYPE

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