HB56G51236B-8A,HB56G51236B-8A pdf中文资料,HB56G51236B-8A引脚图,HB56G51236B-8A电路-Datasheet-电子工程世界

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HB56G51236B-8A: 产品描述Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小37KB，共2页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56G51236B-8A概述

Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72

HB56G51236B-8A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM
包装说明	,
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
端子形式	NO LEAD
端子位置	SINGLE

HB56G51236B-8A相似产品对比

	HB56G51236B-8A	HB56G51236B-7AL	HB56G51236SB-8A	HB56G51236SB-8AL	HB56G51236B-7A	HB56G51236SB-7AL	HB56G51236B-8AL	HB56G51236SB-7A
描述	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
针数	72	72	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	70 ns	80 ns	80 ns	70 ns	70 ns	80 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72	72	72
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512	512	512
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

HB56G51236B-8A

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HB56G51236B-8A规格参数

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