OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, MBCY8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | , CAN8,.2 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.075 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -20 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 0.25 V/us |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 20 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| UA748MH | UA748MJ | UA748CJ | UA748CH | UA748IJ | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, MBCY8 | OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8 | OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8 | OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, MBCY8 | OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | BCY | DIP | DIP | BCY | DIP |
| 包装说明 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA | 0.02 µA | 0.07 µA | 0.07 µA | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.075 µA | 0.01 µA | 0.05 µA | 0.1 µA | 0.01 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB | 70 dB | 70 dB | 80 dB |
| 频率补偿 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 最大输入失调电压 | 3000 µV | 3000 µV | 10000 µV | 10000 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 | R-CDIP-T8 | R-CDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-CDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -20 V | -20 V | -20 V | -20 V | -20 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 105 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | - | -40 °C |
| 封装主体材料 | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | IN-LINE | IN-LINE | CYLINDRICAL | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us | 0.25 V/us |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.5 V/us | 0.5 V/us | 0.5 V/us | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V | 22 V | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | WIRE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL | DUAL | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 25000 | 15000 | 25000 | 25000 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
| 封装代码 | - | DIP | DIP | - | DIP |
| 座面最大高度 | - | 5.08 mm | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 端子节距 | - | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 宽度 | - | 7.62 mm | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
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