H5PS1G83EFR-S5Q,H5PS1G83EFR-S5Q pdf中文资料,H5PS1G83EFR-S5Q引脚图,H5PS1G83EFR-S5Q电路-Datasheet-电子工程世界

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H5PS1G83EFR-S5Q: 产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小837KB，共63页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H5PS1G83EFR-S5Q概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60

H5PS1G83EFR-S5Q规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	11.4 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	8 mm

H5PS1G83EFR-S5Q相似产品对比

	H5PS1G83EFR-S5Q	H5PS1G83EFR-C4P	H5PS1G83EFR-C4Q	H5PS1G83EFR-Y5Q	H5PS1G83EFR-S6Q	H5PS1G83EFR-S6P	H5PS1G83EFR-E3P	H5PS1G83EFR-E3Q	H5PS1G83EFR-G7P	H5PS1G83EFR-Y5P
描述	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.35 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm	11.4 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	-	-	333 MHz	400 MHz	400 MHz	-	-	533 MHz	333 MHz
I/O 类型	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8
JESD-609代码	e1	-	-	e1	e1	e1	-	-	e1	e1
输出特性	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	BGA60,9X11,32	-	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	-	-	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32
电源	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	-	8192	8192	8192	-	-	8192	8192
连续突发长度	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

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