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EDI441024C100ZM

产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CZIP20,
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文件大小40KB,共1页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI441024C100ZM概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CZIP20,

EDI441024C100ZM规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CZIP-T20
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置ZIG-ZAG
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