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NDS8426/D84Z

产品描述9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDS8426/D84Z概述

9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDS8426/D84Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)9.9 A
最大漏源导通电阻0.015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDS8426/D84Z相似产品对比

NDS8426/D84Z NDS8426/L99Z CR1206G-3R4JI NDS8426/S62Z
描述 9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 3.4ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP 9900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 CHIP SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown unknow compliant unknown
端子数量 8 8 2 8
最高工作温度 150 °C 150 °C 155 °C 150 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMT SMALL OUTLINE
表面贴装 YES YES YES YES
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V - 20 V
最大漏极电流 (ID) 9.9 A 9.9 A - 9.9 A
最大漏源导通电阻 0.015 Ω 0.015 Ω - 0.015 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 1 1 - 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
功耗环境最大值 1 W 1 W - 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
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