KSH30I概述

1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3

KSH30I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-251
包装说明	IPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-251
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz

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KSH30I相似产品对比

	KSH30I	KSH30CI
描述	1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3	1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Fairchild	Fairchild
零件包装代码	TO-251	TO-251
包装说明	IPAK-3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	40 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15
JEDEC-95代码	TO-251	TO-251
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz	3 MHz

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