ON Semiconductort
NPN
PNP
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
. . . for general purpose power and switching such as output or
driver stages in applications such as switching regulators, converters,
and power amplifiers.
MJD44H11 *
MJD45H11 *
*ON Semiconductor Preferred Device
•
Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves
•
•
•
•
•
•
(No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount
(“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
Low Collector Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
SILICON
POWER TRANSISTORS
8 AMPERES
80 VOLTS
20 WATTS
CASE 369A–13
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
November, 2001 – Rev. 5
Publication Order Number:
MJD44H11/D
0.243
6.172
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CEO
V
EB
I
C
D44H11 or D45H11
80
5
Unit
Vdc
Vdc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Peak
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
8
16
P
D
20
0.16
Watts
W/_C
Watts
W/_C
_C
Total Power Dissipation (1)
@ T
A
= 25_C
Derate above 25_C
P
D
1.75
0.014
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0.190
4.826
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
R
θJA
T
L
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
6.25
71.4
260
_C/W
_C/W
_C
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)
Lead Temperature for Soldering
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
0.063
1.6
inches
mm
0.118
3.0
0.100
2.54
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING TIMES
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Fall Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
Storage Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
Delay and Rise Times
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc)
Gain Bandwidth Product
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz)
Collector Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 4 Adc)
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 2 Adc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.8 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 5 Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
BE
= 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 30 mA, I
B
= 0)
Characteristic
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
Min
40
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
—
—
—
—
—
—
—
Max
1.5
50
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
µA
µA
pF
ns
ns
ns
—
2
MJD44H11 MJD45H11
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
SINGLE PULSE
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
t, TIME (ms)
10
20
30
0.05
0.02
0.01
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
D = 0.5
0.2
0.1
R
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 6.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
- T
C
= P
(pk)
θ
JC(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.01
0.01
50
100
200 300
500
1k
Figure 1. Thermal Response
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
THERMAL LIMIT @ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
dc
5 ms
500
µs
100
µs
1 ms
0.05
0.02
1
5
7 10
20 30
50
3
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
70 100
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
– V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 2 is based on T
J(pk)
= 150_C; T
C
is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v
150_C. T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 1. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Figure 2. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
T
A
T
C
2.5 25
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
2 20
1.5 15
1 10
0.5
0
5
0
T
C
T
A
SURFACE
MOUNT
25
50
75
100
125
150
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Power Derating
http://onsemi.com
3
MJD44H11 MJD45H11
1000
1000
hFE, DC CURRENT GAIN
hFE, DC CURRENT GAIN
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
10
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain
Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
-40°C
100
V
CE
= 1 V
hFE , DC CURRENT GAIN
T
J
= 125°C
25°C
100
-40°C
V
CE
= 1 V
10
hFE , DC CURRENT GAIN
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. MJD44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJD45H11 Current Gain
versus Temperature
1.2
SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE(sat)
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
V
BE(sat)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE(sat)
10
V
BE(sat)
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages
Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
http://onsemi.com
4
MJD44H11 MJD45H11
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369A–13
ISSUE AA
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN
MAX
0.235
0.250
0.250
0.265
0.086
0.094
0.027
0.035
0.033
0.040
0.037
0.047
0.180 BSC
0.034
0.040
0.018
0.023
0.102
0.114
0.090 BSC
0.175
0.215
0.020
0.050
0.020
---
0.030
0.050
0.138
---
MILLIMETERS
MIN
MAX
5.97
6.35
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.84
1.01
0.94
1.19
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.45
5.46
0.51
1.27
0.51
---
0.77
1.27
3.51
---
–T–
B
V
R
4
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
M
T
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
