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KSA542G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSA542G概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

KSA542G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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KSA542
KSA542
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
• Collector-Base Voltage : V
CBO
= -30V
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V
CE
(sat)= -0.15V(TYP.)
• Complement to KSC184
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
-30
-25
-5
-50
250
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Test Condition
I
C
= -100µA, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10µA. I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
I
C
= -20mA, I
B
= -2mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CE
= -6V, I
C
= -1mA
V
CB
= -6V, I
E
= 0, f=1MHz
40
-0.15
-0.65
100
2.5
Min.
-30
-25
-5
-100
-100
400
-0.3
-1.0
V
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
G
200 ~ 400
©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
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