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KSC1815YD26Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSC1815YD26Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

KSC1815YD26Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz

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KSC1815
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
HIGH FREQUENCY OSC
Complement to KSC1815
Collector-Base Voltage V
CBO
= -50V
TO-92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25°C)
°
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
Rating
60
50
5
150
50
400
125
-55 ~ 150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1. Emitter 2. Base 3. Collector
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25°C)
°
Characteristic
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Current Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
NF
Test Conditions
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=2mA
V
CE
=6V, I
C
=150mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=0.1mA
R
G
=10KΩ,f=1Hz
Min
Typ
Max
0.1
0.1
700
0.1
80
2.0
1.0
0.25
1.0
3.0
1.0
Unit
µA
µA
70
25
V
V
MHz
pF
dB
h
FE
1 CLASSIFICATION
Classification
h
FE1
O
70~140
Y
120~240
G
200~400
L
350~700
Rev. B
©
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
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