M59DR008E120ZB1,M59DR008E120ZB1 pdf中文资料,M59DR008E120ZB1引脚图,M59DR008E120ZB1电路-Datasheet-电子工程世界

M59DR008E120ZB1: 产品描述512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小274KB，共38页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M59DR008E120ZB1概述

512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	7 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	8,15
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	4 words
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8/2 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	4K,32K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	7 mm

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