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MG200Q1US1

产品描述TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小48KB,共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MG200Q1US1概述

TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG200Q1US1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)500 ns
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4 V
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