128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | 10000 PROGRAM/ERASE CYCLES |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
长度 | 18.415 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1-R |
封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
反向引出线 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | MOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 8 mm |
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