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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXFX30N50Q

IXFX30N50Q: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小116KB，共4页; 制造商IXYS; 标准

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IXFX30N50Q概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN

IXFX30N50Q规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IXYS
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IXFX30N50Q相似产品对比

	IXFX30N50Q	IXFK32N50Q	IXFK30N50Q
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	PLASTIC PACKAGE-3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1500 mJ	1500 mJ	1500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	32 A	30 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω	0.15 Ω	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A	128 A	120 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	IXYS	-	IXYS
零件包装代码	-	TO-264AA	TO-264AA
JEDEC-95代码	-	TO-264AA	TO-264AA

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