EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DFP-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Data Device Corporation |
| 包装说明 | DFP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F40 |
| 长度 | 25.273 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 40 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 7.62 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.016 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 21.59 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 79C0408RPFE-20 | AF162JR-131M | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DFP-40 | ANTI-SULFURATED CHIP RESISTORS |
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