COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SECOS |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 350 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| BC212C | BC212 | BC212B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SECOS | SECOS | SECOS |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 350 | 140 | 140 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
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