电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZT52C10KRKG

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

BZT52C10KRKG概述

Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2

BZT52C10KRKG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压10 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA

文档预览

下载PDF文档
BZT52C2V4K~BZT52C75K
200mW,Surface Mount Zener Diode
Small Signal Diode
SOD-523F
B
Features
Wide zener voltage range selection : 2.4V to 75V
Surface device type mounting
Moisture sensitivity level 1
Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
Pb free version,RoHS compliant
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
C
A
D
E
F
Unit (mm)
Min
0.70
1.50
0.25
1.10
0.60
0.10
Max
0.90
1.70
0.40
1.30
0.70
0.14
Unit (inch)
Min
Max
0.028 0.035
0.059 0.067
0.010 0.016
0.043 0.051
0.024 0.028
0.004 0.006
Mechanical Data
Case :SOD-523F small outline plastic package
Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
High temperature soldering guaranteed:260°C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight :1.68±0.5 mg
Dimensions
A
B
C
D
E
F
Ordering Information
Part No.
Package code Package
Packing
BZT52C2V4K~75K
RK
SOD-523F 3K / 7" Reel
BZT52C2V4K~75K
RKG
SOD-523F 3K / 7" Reel
Pin Configutation
Suggested PAD Layout
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Power Dissipation
Forward Voltage
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Junction and Storage Temperature Range
I
F
=10mA
(Note 1)
Symbol
P
D
V
F
RθJA
T
J
, T
STG
Value
200
1
625
-55 to + 150
Units
mW
V
°C/W
°C
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Zener I vs. V Characteristics
Current
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
V
F
Voltage
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
Forward Region
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
Leakage Region
I
ZM
V
ZM
Version : A11

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 590  741  1627  2364  2221  12  15  33  48  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved