K4H641638Q-LLCC0,K4H641638Q-LLCC0 pdf中文资料,K4H641638Q-LLCC0引脚图,K4H641638Q-LLCC0电路-Datasheet-电子工程世界

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K4H641638Q-LLCC0: 产品描述DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小586KB，共27页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4H641638Q-LLCC0概述

DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

K4H641638Q-LLCC0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

K4H641638Q-LLCC0相似产品对比

	K4H641638Q-LLCC0	K4H641638Q-LCCC0
描述	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	DDR DRAM, 4MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	66	66
字数	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4MX16	4MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.003 A	0.003 A
最大压摆率	0.09 mA	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm

推荐资源

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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