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CXK77R1882AGB-35

产品描述DDR SRAM, 512KX18, 2.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
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文件大小278KB,共28页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK77R1882AGB-35概述

DDR SRAM, 512KX18, 2.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

CXK77R1882AGB-35规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SONY(索尼)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA153,9X17,50
针数153
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)285 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B153
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量153
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA153,9X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.5/1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.3 mm
最大待机电流0.44 A
最小待机电流2.38 V
最大压摆率0.88 mA
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度14 mm

CXK77R1882AGB-35相似产品对比

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描述 DDR SRAM, 512KX18, 2.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 256KX36, 2.4ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 512KX18, 2.4ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 256KX36, 2.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153 DDR SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼) SONY(索尼)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50
针数 153 153 153 153 153 153 153 153
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 2.2 ns 2.6 ns 2.4 ns 2.4 ns 2.6 ns 2.2 ns 2.6 ns 2.6 ns
最大时钟频率 (fCLK) 285 MHz 238 MHz 256 MHz 256 MHz 256 MHz 285 MHz 238 MHz 256 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 18 18 36 18 18 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 153 153 153 153 153 153 153 153
字数 524288 words 524288 words 262144 words 524288 words 524288 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 512000 512000 256000 512000 512000 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 512KX18 512KX18 256KX36 512KX18 512KX18 256KX36 256KX36 256KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240 240 240 240 240
电源 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V 1.5/1.8,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm
最大待机电流 0.44 A 0.4 A 0.42 A 0.42 A 0.42 A 0.44 A 0.4 A 0.42 A
最小待机电流 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V 2.38 V
最大压摆率 0.88 mA 0.77 mA 0.89 mA 0.82 mA 0.82 mA 0.95 mA 0.84 mA 0.89 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10 10 10
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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