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MT48LC2M32B2P-55:G

产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
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文件大小4MB,共80页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT48LC2M32B2P-55:G概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86

MT48LC2M32B2P-55:G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP2
包装说明TSSOP, TSSOP86,.46,20
针数86
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)182 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

MT48LC2M32B2P-55:G相似产品对比

MT48LC2M32B2P-55:G MT48LC2M32B2P-5:J MT48LC2M32B2TG-55:G MT48LC2M32B2P-6:G
描述 Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOPII-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSSOP, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 TSSOP, TSSOP86,.46,20
针数 86 86 86 86
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5 ns 4.5 ns 5 ns 5.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 182 MHz 200 MHz 182 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86
JESD-609代码 e3 e3 e0 e3
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 86 86 86 86
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSOP2 TSSOP TSSOP
封装等效代码 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 235 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology
最大待机电流 0.002 A - 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.26 mA - 0.26 mA 0.225 mA
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