电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

QS83291-25V

产品描述Cache SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PDSO32,
产品类别存储    存储   
文件大小50KB,共1页
制造商Quality Semiconductor Inc
下载文档 详细参数 全文预览

QS83291-25V概述

Cache SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PDSO32,

QS83291-25V规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度294912 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 175  846  896  1302  1420 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved