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MT18HVS25672RHY-53EXX

产品描述Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200
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文件大小559KB,共21页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT18HVS25672RHY-53EXX概述

Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200

MT18HVS25672RHY-53EXX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30

MT18HVS25672RHY-53EXX相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 Synchronous DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, SORDIMM-200 ANTI-SULFURATED CHIP RESISTORS
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology -
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM -
包装说明 DIMM, LEAD FREE, SORDIMM-200 LEAD FREE, SORDIMM-200 LEAD FREE, SORDIMM-200 DIMM, DIMM, -
针数 200 200 200 200 200 200 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant unknown compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 -
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 -
内存密度 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit -
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE -
内存宽度 72 72 72 72 72 72 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 200 200 200 200 200 200 -
字数 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words -
字数代码 256000000 256000000 256000000 256000000 256000000 256000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72 256MX72 -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
自我刷新 YES YES YES YES YES YES -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 -

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