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MT49H32M18CHT-18

产品描述DDR DRAM, 32MX18, 0.12ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共74页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT49H32M18CHT-18概述

DDR DRAM, 32MX18, 0.12ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144

MT49H32M18CHT-18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明LEAD FREE, FBGA-144
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.12 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型SEPARATE
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B144
JESD-609代码e1
长度18.5 mm
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA144,12X18,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm

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576Mb: x9, x18 2.5V Vext, 1.8V Vdd, HSTL, SIO, RLDRAM II
Features
SIO RLDRAM II
MT49H32M18C – 32 Meg x 18 x 8 banks
MT49H64M9C – 64 Meg x 9 x 8 banks
®
Features
• 533 MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data rate)
• 38.4 Gb/s peak bandwidth (x18 at 533 MHz clock
frequency)
• Organization
32 Meg x 18 and 64 Meg x 9 separate I/O
8 banks
• Reduced cycle time (15ns at 533 MHz)
• Nonmultiplexed addresses (address multiplexing
option available)
• SRAM-type interface
• Programmable READ latency (RL), row cycle time,
and burst sequence length
• Balanced READ and WRITE latencies in order to
optimize data bus utilization
• Data mask for WRITE commands
• Differential input clocks (CK, CK#)
• Differential input data clocks (DKx, DKx#)
• On-die DLL generates CK edge-aligned data and
output data clock signals
• Data valid signal (QVLD)
• 32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K refresh
command must be issued in total each 32ms)
• 144-ball µBGA package
• HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)
• 25–60Ω matched impedance outputs
• 2.5V Vext, 1.8V Vdd, 1.5V or 1.8V Vddq I/O
• On-die termination (ODT) Rtt
Options
• Clock cycle timing
1.875ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 20ns
3.3ns @
t
RC = 20ns
• Configuration
64 Meg x 9
32 Meg x 18
• Operating temperature range
Commercial (0° to +95°C)
Industrial (T
C
= –40°C to +95°C;
T
A
= –40°C to +85°C)
• Package
144-ball µBGA
144-ball µBGA (Pb-free)
144-ball FBGA
144-ball FBGA (Pb-free)
• Revision
Marking
-18
-25E
-25
-33
64M9
32M18
None
IT
FM
BM
HU
1
HT
1
:A
Notes: 1. The FBGA package is being phased out.
PDF: 09005aef815b2df8/Source: 09005aef811ba111
576Mb_RLDRAM_II_SIO_D1.fm - Rev. F 6/09 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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