HY62U8200BLLST-E-85,HY62U8200BLLST-E-85 pdf中文资料,HY62U8200BLLST-E-85引脚图,HY62U8200BLLST-E-85电路-Datasheet-电子工程世界

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HY62U8200BLLST-E-85: 产品描述Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小150KB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY62U8200BLLST-E-85概述

Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

HY62U8200BLLST-E-85规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	85 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6
长度	11.8 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm

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