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BZV55C10L1

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AC, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小362KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZV55C10L1概述

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AC, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL-34, MINIMELF-2

BZV55C10L1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AC
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

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CREAT BY ART
BZV55C2V4 - BZV55C75
500mW, 5% Tolerance Zener Diode
Small Signal Product
Features
Wide zener voltage range selection : 2.4V to 75V
V
Z
Tolerance Selection of ±5%
Designed for through-hole device type mounting
Hermetically sealed glasss
Pb free version and RoHS compliant
High reliability glass passivation insuring parameter
stability and protection against junction contamination
Mini-MELF (LL34)
Hermetically Sealed Glass
Mechanical Data
Case : Mini-MELF Package (JEDEC DO-213AC)
High temperature soldering guaranteed: 270
o
C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 31 mg (approximately)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Parameter
Power Dissipation
Maximum Forward Voltage @ I
F
=100mA
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Storage Temperature Range
(Note 1)
Symbol
P
D
V
F
R
θJA
T
J
, T
STG
Value
500
1
300
-65 to +175
Unit
mW
V
o
C/W
o
C
Zener I vs. V Characteristics
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
I
ZM
V
ZM
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
Document Number:DS_S1308006
Version : E13
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