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HY5V66DF-K

产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
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文件大小740KB,共13页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5V66DF-K概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V66DF-K规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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