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THMY25E10C75

产品描述IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM
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文件大小701KB,共13页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THMY25E10C75概述

IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM

THMY25E10C75规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
长度133.35 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度38.23 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.035 A
最大压摆率1.798 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm

THMY25E10C75相似产品对比

THMY25E10C75 THMY25E10C70
描述 IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
长度 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32MX8 32MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
座面最大高度 38.23 mm 38.23 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.035 A 0.035 A
最大压摆率 1.798 mA 1.845 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 4 mm 4 mm
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