EE PLD, 30ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SKINNY, CERAMIC, DIP-24
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
其他特性 | VARIABLE PRODUCT TERMS; 10 MACROCELLS; REGISTER PRELOAD; POWER-UP RESET |
架构 | PAL-TYPE |
最大时钟频率 | 25 MHz |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 31.9405 mm |
专用输入次数 | 11 |
I/O 线路数量 | 10 |
输入次数 | 22 |
输出次数 | 10 |
产品条款数 | 132 |
端子数量 | 24 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O |
输出函数 | MACROCELL |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
可编程逻辑类型 | EE PLD |
传播延迟 | 30 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
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