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M470T5267AZ3-LE6

产品描述DDR DRAM Module, 512MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
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文件大小293KB,共17页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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M470T5267AZ3-LE6概述

DDR DRAM Module, 512MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

M470T5267AZ3-LE6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
长度67.6 mm
内存密度34359738368 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度30 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.128 A
最大压摆率3 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.8 mm
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