TC5164805AFT-40,TC5164805AFT-40 pdf中文资料,TC5164805AFT-40引脚图,TC5164805AFT-40电路-Datasheet-电子工程世界

TC5164805AFT-40: 产品描述IC 8M X 8 EDO DRAM, 40 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32, Dynamic RAM; 产品类别存储存储; 文件大小739KB，共24页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC5164805AFT-40概述

IC 8M X 8 EDO DRAM, 40 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32, Dynamic RAM

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	40 ns
其他特性	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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