Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, LEADLESS, PLASTIC, MELF-2
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
零件包装代码 | MELF |
包装说明 | LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.3 V |
JESD-30 代码 | O-PELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 30 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 1.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
CLLR1F-02 | CLLR1F-06 | CLLR1F-10 | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | MELF | MELF | MELF |
包装说明 | LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 | LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 | LEADLESS, PLASTIC, MELF-2 |
针数 | 2 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V |
JESD-30 代码 | O-PELF-R2 | O-PELF-R2 | O-PELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 30 A | 30 A | 30 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 1.2 W | 1.2 W | 1.2 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 600 V | 1000 V |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs | 0.25 µs | 0.5 µs |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
端子位置 | END | END | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | - |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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